Notkun WINSOK MOSFET í greindur lækningatæki

Umsókn

Notkun WINSOK MOSFET í greindur lækningatæki

Með stöðugum framförum vísinda og tækni hefur greindur lækningabúnaður orðið mikilvægur drifkraftur fyrir nýsköpun og þróun lækningaiðnaðarins. Þar á meðal gegnir MOSFET (metal-oxide-halfleiðara field-effect transistor) tækni lykilhlutverki við að bæta afköst lækningatækja og draga úr orkunotkun. MOSFET hefur orðið ómissandi hluti í snjöllum lækningatækjum vegna mikillar skilvirkni, lítillar viðnáms og hraðvirkrar skiptigetu.

Notkun WINSOK MOSFET í greindur lækningatæki

Á sviði flytjanlegra lækningatækja,MOSFETsmæðing og lítil orkunotkun gera það að kjörnum vali. Það veitir skilvirka orkustýringu í litlu rými, lengir endingu rafhlöðunnar á tækinu á sama tíma og tryggir að tækið geti veitt nákvæma og áreiðanlega læknisþjónustu á mikilvægum augnablikum.

Greindur lækningabúnaðureins og hjartalínurit, blóðþrýstingsmælar og blóðsykursmælar eru farnir að taka upp MOSFET tækni víða. MOSFETs bæta ekki aðeins afköst þessara tækja heldur gera þau einnig umhverfisvænni og hagkvæmari með því að draga úr orkunotkun.

MOSFETs gegna einnig mikilvægu hlutverki í læknisfræðilegum myndgreiningarsviðum eins og segulómun og sneiðmyndatöku. Hröð skiptimöguleiki þess og mikil afköst tryggja að lækningamyndatökubúnaður geti veitt hágæða og hágæða myndir, sem hjálpar læknum að gera nákvæmari greiningar.

 

WINSOK MOSFET umsóknarefnisnúmer á sviði greindur lækningatækja:

Hlutanúmer

Stillingar

Tegund

VDS

auðkenni (A)

VGS(þ)(v)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Pakki

@10V

(V)

Hámark

Min.

Týp.

Hámark

Týp.

Hámark

(pF)

WST3400

Einhleypur

N-Ch

30

7

0,5

0,8

1.2

-

-

572

SOT-23-3L

WSD30L40DN

Einhleypur

P-Ch

-30

-40

-1.3

-1.8

-2.3

11

14

1380

DFN3X3-8

WSD30100DN56

Einhleypur

N-Ch

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350

DFN5X6-8

WSD30150DN56

Einhleypur

N-Ch

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

WSD20L120DN56

Einhleypur

P-Ch

-20

-120

-0,4

-0,6

-1

-

-

4950

DFN5X6-8

WSD30L120DN56

Einhleypur

P-Ch

-30

-120

-1.2

-1.5

-2.5

2.9

3.6

6100

DFN5X6-8

WSF3040

Einhleypur

N-Ch

30

43

1.2

1.5

2.5

10

12

940

TO-252

WSF3085

Einhleypur

N-Ch

30

85

1

1.5

2.5

4.5

5.5

2295

TO-252

 

Samsvarandi efnisnúmer þess:

WINSOK WST3400 samsvarandi efnisnúmer:AOS AO3400,AO3400A,AO3404.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens hálfleiðari PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.

WINSOK WSD30L40DN samsvarandi efnisnúmer:AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507EEA.

WINSOK WSD30100DN56 samsvarandi efnisnúmer: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.

NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5,STL58N3LLH5.INFINEON,IR BSC014N03LSG,BSC016NSC03LSG,0PNGMS03LSG,0PNGS03LSG,0PNGS PPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens hálfleiðari PDC3960X.

WINSOK WSD30150DN56 samsvarandi efnisnúmer:AOS AON6512,AONS32304Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Poten.PKE24BB.Poten.PKE24BB.Poten

WINSOK WSD20L120DN56 samsvarandi efnisnúmer:AOS AON6411.TOSHIBA TPH1R403NL.

WINSOK WSD30L120DN56 samsvarandi efnisnúmer:AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.NIKO-SEM PK5A7BA.Potens hálfleiðari PDC3901X.

WINSOK WSF3040 samsvarandi efnisnúmer:AOS AOD32326,AOD418,AOD514,AOD516,AOD536,AOD558.Onsemi,FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NF3LL.INFINEON,IR IPD090MJ3DJ3DJ090N3D0900N03D0900N3D0900N3D090N03D090N3 3.Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.

WINSOK WSF3085 samsvarandi efnisnúmer:AOS AOD4132,AOD508,AOD518.Onsemi,FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON,IR IPD031N03LG,IPD040N03LG.P8NIT03LG.P8NJIT03LG.P8N1000000000000000000000000000000000005

 

Almennt séð er MOSFET tæknin að stuðla að þróun snjalls lækningatækja til að vera skilvirkari, nákvæmari og umhverfisvænni. Með stöðugri tækniframförum hefur MOSFET víðtæka notkunarmöguleika í snjalllækningatækjum og búist er við að það muni koma með meiri nýsköpun og breytingar á lækningaiðnaðinum.


Birtingartími: 27. október 2023