-
Olukey: Við skulum tala um hlutverk MOSFET í grunnarkitektúr hraðhleðslu
Grunnaflgjafauppbygging hraðhleðslu QC notar flyback + aukahlið (einni) samstilltur leiðréttingar SSR. Fyrir bakslagsbreyta, samkvæmt endurgjöf sýnatökuaðferð, er hægt að skipta því í: aðalhlið (prima...Lestu meira -
Hversu mikið veist þú um MOSFET breytur? OLUKEY greinir það fyrir þig
„MOSFET“ er skammstöfun á Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Það er tæki úr þremur efnum: málmi, oxíði (SiO2 eða SiN) og hálfleiðara. MOSFET er eitt af grunntækjunum á hálfleiðara sviðinu. ...Lestu meira -
Hvernig á að velja MOSFET?
Nýlega, þegar margir viðskiptavinir koma til Olukey til að hafa samráð um MOSFET, munu þeir spyrja spurningar, hvernig á að velja viðeigandi MOSFET? Varðandi þessa spurningu mun Olukey svara henni fyrir alla. Fyrst af öllu þurfum við að skilja prinsinn...Lestu meira -
Virka meginreglan um N-rás aukahlutunarham MOSFET
(1) Stýringaráhrif vGS á auðkenni og rás ① Tilfelli vGS=0 Það má sjá að það eru tvö bak-í-bak PN-mót milli frárennslis d og uppsprettu s MOSFET aukastillingarinnar. Þegar hliðarspennan vGS=0, jafnvel þótt...Lestu meira -
Sambandið milli MOSFET umbúða og breytur, hvernig á að velja FET með viðeigandi umbúðum
①Tengdu umbúðir: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Yfirborðsfestingartegund: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Mismunandi pökkunarform, samsvarandi takmörkun straums, spennu og hitaleiðniáhrifa MO ...Lestu meira -
Hvað þýða þrír pinnar G, S og D á pakkaðri MOSFET?
Þetta er pakkaður MOSFET gjóska innrauða skynjari. Rétthyrndi ramminn er skynjunarglugginn. G pinninn er jarðtengi, D pinninn er innri MOSFET holræsi og S pinninn er innri MOSFET uppspretta. Í hringrásinni, ...Lestu meira -
Mikilvægi afl MOSFET í móðurborðsþróun og hönnun
Fyrst af öllu er skipulag CPU falsins mjög mikilvægt. Það verður að vera nóg pláss til að setja upp CPU viftuna. Ef það er of nálægt brún móðurborðsins verður erfitt að setja upp CPU ofninn í sumum tilfellum þar sem...Lestu meira -
Ræddu stuttlega um framleiðsluaðferð hákrafts MOSFET hitaleiðnibúnaðar
Sérstök áætlun: afl MOSFET hitaleiðnibúnaður, þar á meðal holur burðarvirki og hringrásarborð. Hringrásarborðinu er komið fyrir í hlífinni. Fjöldi hlið við hlið MOSFET er tengdur við báða enda hringrásarinnar...Lestu meira -
FET DFN2X2 pakki einn P-rás 20V-40V gerð fyrirkomulag_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L pakki, ein P-rás FET, spenna 20V-40V gerðir eru teknar saman sem hér segir: 1. Gerð: WSD8823DN22 ein P rás -20V -3.4A, innra viðnám 60mΩ Samsvarandi gerðir: AOS:AON2403: FON Semiconductor: . ...Lestu meira -
Nákvæm útskýring á vinnureglunni um MOSFET með miklum krafti
High-power MOSFETs (málm-oxíð-hálfleiðara sviði-áhrif smári) gegna mikilvægu hlutverki í nútíma rafeindatækni. Þetta tæki er orðið ómissandi hluti í rafeindatækni og aflmiklum forritum vegna þess að...Lestu meira -
Skilja vinnuregluna um MOSFET og beita rafeindahlutum á skilvirkari hátt
Skilningur á rekstrarreglum MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) er lykilatriði til að nýta þessa afkastamikla rafeindaíhluti á áhrifaríkan hátt. MOSFET eru ómissandi þættir í rafrænum ...Lestu meira -
Skilið MOSFET í einni grein
Rafmagnshálfleiðaratæki eru mikið notuð í iðnaði, neyslu, hernaði og öðrum sviðum og hafa mikla stefnumótandi stöðu. Við skulum kíkja á heildarmynd af rafmagnstækjum úr mynd: ...Lestu meira
