WSD20L120DN56 P-rás -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSD20L120DN56

BVDS:-20V

RDSON:2,1mΩ

auðkenni:-120A

Rás:P-rás

Pakki:DFN5*6-8

Vara sumarleg:MOSFET WSD20L120DN56 vinnur við -20 volt og dregur -120 amper straum. Það hefur viðnám 2,1 milliohm, P-rás, og kemur í DFN5*6-8 pakka.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðslutæki, mótorar, drónar, lækningatæki, bílahleðslutæki, stýringar, stafræn tæki, lítil tæki og rafeindatækni.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSD20L120DN56 er afkastamikill P-Ch MOSFET með háþéttni frumubyggingu, sem gefur frábæra RDSON og hliðarhleðslu fyrir flestar samstilltur buck breytir. WSD20L120DN56 uppfyllir 100% EAS kröfur fyrir RoHS og umhverfisvænar vörur, með fullri virkni áreiðanleikasamþykki.

Eiginleikar

1, Háþróuð Trench tækni með mikilli frumuþéttleika
2, ofurlágt hliðargjald
3, Frábær hnignun á CdV/dt áhrifum
4, 100% EAS Guaranteed 5, Grænt tæki í boði

Umsóknir

Hátíðnipunkt-of-load samstilltur buck breytir fyrir MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettu, þráðlaus hleðslutæki, mótorar, drónar, læknisfræði, bílahleðslutæki, stjórnandi, stafrænar vörur, Lítil heimilistæki, rafeindatækni.

samsvarandi efnisnúmer

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn		Einingar
Tákn	Parameter	10s	Stöðugt ástand	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	-20		V
VGS	Gate-Source Spenna	±10		V
ID@TC=25℃	Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	-340		A
EAS	Einpúls snjóflóðaorka3	300		mJ
IAS	Snjóflóðastraumur	-36		A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing 4	130		W
PD@TA=25℃	Heildaraflsdreifing 4	6.8	6.25	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150		℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150		℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Heildarhleðsla (-4,5V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Hliðsuppspretta gjald		---	21	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	32	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	50	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	100	---
Tf	Hausttími		---	40	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	380	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	290	---