WSD45N10GDN56 N-rás 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

vörur

WSD45N10GDN56 N-rás 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Stutt lýsing:

Hlutanúmer:WSD45N10GDN56

BVSS:100V

ID:45A

RDSON:14,5mΩ

Rás:N-rás

Pakki:DFN5X6-8


Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

WINSOK MOSFET vöruyfirlit

Spenna WSD45N10GDN56 MOSFET er 100V, straumurinn er 45A, viðnámið er 14,5mΩ, rásin er N-rás og pakkinn er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET notkunarsvæði

Rafsígarettur MOSFET, þráðlaus hleðslu MOSFET, mótorar MOSFET, drónar MOSFET, læknisþjónustu MOSFET, bílahleðslutæki MOSFET, stýringar MOSFET, stafrænar vörur MOSFET, lítil heimilistæki MOSFET, neytenda rafeindatækni MOSFET.

WINSOK MOSFET samsvarar öðrum vörumerkjanúmerum

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Hálfleiðari MOSFET PDC966X.

MOSFET breytur

Tákn

Parameter

Einkunn

Einingar

VDS

Drain-Source Spenna

100

V

VGS

Gate-Source Spenna

±20

V

ID@TC=25

Stöðugur frárennslisstraumur, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Stöðugur frárennslisstraumur, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Stöðugur frárennslisstraumur, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Stöðugur frárennslisstraumur, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Púlsaður afrennslisstraumur

130

A

EASb

Single Pulse Avalanche Energy

169

mJ

IASb

Snjóflóðastraumur

26

A

PD@TC=25

Heildaraflsdreifing

95

W

PD@TA=25

Heildaraflsdreifing

5.0

W

TSTG

Geymsluhitasvið

-55 til 150

TJ

Hitasvið rekstrarmóts

-55 til 150

 

Tákn

Parameter

Skilyrði

Min.

Týp.

Hámark

Eining

BVDSS

Niðurbrotsspenna frá holræsi VGS=0V, ID=250uA

100

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSS hitastuðull Tilvísun í 25, égD=1mA

---

0,0

---

V/

RDS(ON)d

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(þ)

Gate Threshold Voltage VGS=VDS, égD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(þ)

VGS(þ)Hitastuðull

---

-5   mV/

IDSS

Drain-Source lekastraumur VDS=80V, VGS=0V, TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55

---

- 30

IGSS

Gate-Source Lekastraumur VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Hlið viðnám VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Heildarhleðsla (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Hleðsla fyrir hlið

---

12

--

Qgde

Gate-Drain Charge

---

12

---

Td(on)e

Töf á kveikju VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω

ID=1A,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Uppgangstími

---

9

17

Td(slökkt)e

Slökktingartími

---

36

65

Tfe

Hausttími

---

22

40

Cisse

Inntaksrýmd VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Úttaksrýmd

---

215

---

Crsse

Reverse Transfer Capacity

---

42

---


  • Fyrri:
  • Næst:

  • Skrifaðu skilaboðin þín hér og sendu okkur