WSD6040DN56 N-rás 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

vörur

WSD6040DN56 N-rás 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

stutt lýsing:

Hlutanúmer:WSD6040DN56

BVSS:60V

ID:36A

RDSON:14mΩ 

Rás:N-rás

Pakki:DFN5X6-8


Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

WINSOK MOSFET vöruyfirlit

Spenna WSD6040DN56 MOSFET er 60V, straumurinn er 36A, viðnámið er 14mΩ, rásin er N-rás og pakkinn er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET notkunarsvæði

Rafsígarettur MOSFET, þráðlaus hleðslu MOSFET, mótorar MOSFET, drónar MOSFET, læknisþjónustu MOSFET, bílahleðslutæki MOSFET, stýringar MOSFET, stafrænar vörur MOSFET, lítil heimilistæki MOSFET, neytenda rafeindatækni MOSFET.

WINSOK MOSFET samsvarar öðrum vörumerkjanúmerum

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Hálfleiðari MOSFET PDC6964X.

MOSFET breytur

Tákn

Parameter

Einkunn

Einingar

VDS

Drain-Source Spenna

60

V

VGS

Gate-Source Spenna

±20

V

ID

Stöðugur frárennslisstraumur TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Stöðugur frárennslisstraumur TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Púlsaður afrennslisstraumur TC=25°C

140

A

PD

Hámarksaflsnotkun TC=25°C

37,8

W

TC=100°C

15.1

PD

Hámarksaflsnotkun TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Snjóflóðastraumur, stakur púls

L=0,5mH

16

A

EASc

Single Pulse Avalanche Energy

L=0,5mH

64

mJ

IS

Díóða Continuous Forward Current

TC=25°C

18

A

TJ

Hámarkshiti á mótum

150

TSTG

Geymsluhitasvið

-55 til 150

RθJAb

Hitaþolsmót við umhverfið

Stöðugt ástand

60

/W

RθJC

Hitaviðnám-mót við hulstur

Stöðugt ástand

3.3

/W

 

Tákn

Parameter

Skilyrði

Min.

Týp.

Hámark

Eining

Statískt        

V(BR)DSS

Niðurbrotsspenna frá holræsi

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Zero Gate spennu afrennslisstraumur

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Gate lekastraumur

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Um einkenni        

VGS(TH)

Gate Threshold Voltage

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS(kveikt)d

Drain-Source On-State Resistance

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5V, ID = 20A

  19

22

Skiptir        

Qg

Heildarhliðargjald

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Súr hleðsla  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

9.6

 

nC

td (á)

Töf á kveikju

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Kveikja á Rise Time  

9

 

ns

td (slökkt)

Slökktingartími   58  

ns

tf

Slökkt á hausttíma   14  

ns

Rg

Gat viðnám

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dynamic        

Ciss

Í rýmd

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Out Capacitance   140  

pF

Crss

Reverse Transfer Capacity   100  

pF

Drain-Source díóða einkenni og hámarks einkunnir        

IS

Stöðugur upprunastraumur

VG=VD=0V , Force Current

   

18

A

ISM

Pulsed Source Current3    

35

A

VSDd

Díóða áframspenna

ISD = 20A, VGS=0V

 

0,8

1.3

V

trr

Reverse Recovery Time

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge   33  

nC


  • Fyrri:
  • Næst:

  • Skrifaðu skilaboðin þín hér og sendu okkur