WSF6012 N&P-rás 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET Valin mynd

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSF6012

BVDS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

auðkenni:20A/-15A

Rás:N&P-rás

Pakki:TO-252-4L

Vara sumarleg:WSF6012 MOSFET hefur spennusvið 60V og -60V, þolir strauma allt að 20A og -15A, hefur viðnám 28mΩ og 75mΩ, er með bæði N&P-rás og er pakkað í TO-252-4L.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðslutæki, mótorar, öryggisafrit, drónar, heilbrigðisþjónusta, bílahleðslutæki, stýringar, rafeindatækni, tæki og neysluvörur.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSF6012 MOSFET er afkastamikið tæki með hönnun með miklum frumuþéttleika. Það veitir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu sem hentar flestum samstilltum buck converter forritum. Að auki uppfyllir það RoHS og Green Product kröfur, og kemur með 100% EAS ábyrgð fyrir fulla virkni og áreiðanleika.

Eiginleikar

Háþróuð skurðartækni með miklum frumuþéttleika, ofurlágri hliðarhleðslu, frábæru CdV/dt áhrifafalli, 100% EAS ábyrgð og umhverfisvænum tækjakostum.

Umsóknir

Hátíðnipunktur álags samstilltur spennubreytir, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, neyðaraflgjafir, drónar, heilsugæsla, bílahleðslutæki, stýringar, stafræn tæki, lítil heimilistæki, og rafeindatækni.

samsvarandi efnisnúmer

AOS AOD603A,

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn		Einingar
Tákn	Parameter	N-rás	P-rás	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	60	-60	V
VGS	Gate-Source Spenna	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	46	-36	A
EAS	Einpúls snjóflóðaorka3	200	180	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur	59	-50	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing 4	34.7	34.7	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	-55 til 150	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4,5V, ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , auðkenni =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Heildarhleðsla (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Hliðsuppspretta gjald		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	6.3	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	14.2	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	24.6	---
Tf	Hausttími		---	4.6	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	70	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	35	---