WSF70P02 P-rás -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WSF70P02 MOSFET er afkastamesta P-rás skurðartækið með miklum frumuþéttleika.Það býður upp á framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu fyrir flest samstillt buck converter forrit.Tækið uppfyllir RoHS og Green Product kröfur, er 100% EAS tryggt og hefur verið samþykkt fyrir fullan virkni áreiðanleika.
Eiginleikar
Háþróuð skurðartækni með miklum frumuþéttleika, ofurlágri hliðarhleðslu, frábærri minnkun á CdV/dt áhrifum, 100% EAS ábyrgð og valmöguleika fyrir umhverfisvæn tæki.
Umsóknir
Hátíðnipunktur samstilltur hleðslupunktur, Buck Converter fyrir MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, neyðaraflgjafir, drónar, læknishjálp, bílahleðslutæki , stýringar, stafrænar vörur, lítil heimilistæki, rafeindatækni.
samsvarandi efnisnúmer
AOS
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar | |
| 10s | Stöðugt ástand | |||
| VDS | Drain-Source Spenna | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | -200 | A | |
| EAS | Einpúls snjóflóðaorka 3 | 360 | mJ | |
| IAS | Snjóflóðastraumur | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Heildaraflsdreifing 4 | 80 | W | |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | ℃ | |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | ℃ | |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9,0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Heildarhleðsla (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Hleðsla fyrir hlið | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 77 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 520 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 445 | --- |
