WSM320N04G N-rás 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WSM320N04G er afkastamikill MOSFET sem notar skurðhönnun og hefur mjög mikinn frumuþéttleika. Það hefur framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu og er hentugur fyrir flest samstillt buck converter forrit. WSM320N04G uppfyllir RoHS og Green Product kröfur og er tryggt að hann hafi 100% EAS og fullan virkniáreiðanleika.
Eiginleikar
Háþróuð Trench tækni með háum frumuþéttleika, en hún er einnig með lága hliðarhleðslu fyrir hámarksafköst. Að auki státar það af frábærri hnignun á CdV/dt áhrifum, 100% EAS ábyrgð og umhverfisvænum valkosti.
Umsóknir
Hátíðnipunkta-of-load samstilltur Buck breytir, netkerfi DC-DC raforkukerfi, rafmagnsverkfæraforrit, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, drónar, læknisfræði, bílahleðsla, stýringar, stafrænar vörur, lítil heimilistæki og neytendaraftæki.
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar | |
| VDS | Drain-Source Spenna | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | 900 | A | |
| EAS | Einpúls snjóflóðaorka3 | 980 | mJ | |
| IAS | Snjóflóðastraumur | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Heildaraflsdreifing 4 | 250 | W | |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 175 | ℃ | |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 175 | ℃ |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , auðkenni =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Hlið viðnám | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Heildarhleðsla (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Hliðsuppspretta gjald | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 83 | --- | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 115 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 1200 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 800 | --- |
