WSM340N10G N-rás 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSM340N10G

BVDS:100V

RDSON:1,6mΩ

auðkenni:340A

Rás:N-rás

Pakki:TOLL-8L

Vara sumarleg:Spenna WSM340N10G MOSFET er 100V, straumurinn er 340A, viðnámið er 1,6mΩ, rásin er N-rás og pakkinn er TOLL-8L.

Umsóknir:Lækningabúnaður, drónar, PD aflgjafar, LED aflgjafar, iðnaðarbúnaður o.fl.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSM340N10G er afkastamesti skurðurinn N-Ch MOSFET með afar háum frumuþéttleika, sem veitir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu fyrir flest samstillt buck converter forrit.WSM340N10G uppfyllir RoHS og Green Product kröfuna, 100% EAS tryggt með fullri virkni áreiðanleika samþykkt.

Eiginleikar

Háþróuð skurðartækni með háum frumuþéttleika, ofurlág hliðarhleðsla, frábær hnignun á CdV/dt áhrifum, 100% EAS tryggð, grænt tæki í boði.

Umsóknir

Samstillt leiðrétting, DC/DC breytir, hleðslurofi, lækningatæki, drónar, PD aflgjafar, LED aflgjafar, iðnaðarbúnaður osfrv.

Mikilvægar breytur

Alger hámarkseinkunnir

Tákn	Parameter	Einkunn	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	100	V
VGS	Gate-Source Spenna	±20	V
ID@TC=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulsed Drain Current..TC=25°C	1150	A
EAS	Snjóflóðaorka, stakur púls, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur, stakur púls, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing	375	W
PD@TC=100℃	Heildaraflsdreifing	187	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 175	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	175	℃

Rafmagnseinkenni (TJ=25℃, nema annað sé tekið fram)

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=10V, ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , auðkenni =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Heildarhleðsla (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Hleðsla fyrir hlið		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	50	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	228	---
Tf	Hausttími		---	322	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	6160	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	220	---