WSP4016 N-rás 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

vörur

WSP4016 N-rás 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

Stutt lýsing:


  • Gerðarnúmer:WSP4016
  • BVDS:40V
  • RDSON:11,5mΩ
  • auðkenni:15,5A
  • Rás:N-rás
  • Pakki:SOP-8
  • Vara sumarleg:Spenna WSP4016 MOSFET er 40V, straumurinn er 15,5A, viðnámið er 11,5mΩ, rásin er N-rás og pakkinn er SOP-8.
  • Umsóknir:Bíla rafeindatækni, LED ljós, hljóð, stafrænar vörur, lítil heimilistæki, neytenda rafeindatækni, verndartöflur osfrv
  • Upplýsingar um vöru

    Umsókn

    Vörumerki

    Almenn lýsing

    WSP4016 er afkastamesti skurðurinn N-ch MOSFET með afar háum frumuþéttleika, sem veitir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu fyrir flest samstillt buck converter forrit.WSP4016 uppfyllir RoHS og Green Product kröfuna, 100% EAS tryggt með fullri virkni áreiðanleika samþykkt.

    Eiginleikar

    Háþróuð skurðartækni með háum frumuþéttleika, ofurlág hliðarhleðsla, frábær hnignun á CdV/dt áhrifum, 100% EAS tryggð, grænt tæki í boði.

    Umsóknir

    Hvítir LED boost breytir, Bifreiðakerfi, iðnaðar DC/DC umbreytingarrásir, EAutomotive rafeindatækni, LED ljós, hljóð, stafrænar vörur, lítil heimilistæki, neytandi rafeindatækni, verndarplötur o.fl.

    samsvarandi efnisnúmer

    AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
    DINTEK DTM5420.

    Mikilvægar breytur

    Tákn Parameter Einkunn Einingar
    VDS Drain-Source Spenna 40 V
    VGS Gate-Source Spenna ±20 V
    ID@TC=25℃ Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1 15.5 A
    ID@TC=70℃ Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1 8.4 A
    IDM Púlsaður afrennslisstraumur 2 30 A
    PD@TA=25℃ Heildaraflsnotkun TA=25°C 2.08 W
    PD@TA=70℃ Heildaraflsdreifing TA=70°C 1.3 W
    TSTG Geymsluhitasvið -55 til 150
    TJ Hitasvið rekstrarmóts -55 til 150

    Rafmagnseinkenni (TJ=25 ℃, nema annað sé tekið fram)

    Tákn Parameter Skilyrði Min. Týp. Hámark Eining
    BVDS Niðurbrotsspenna frá holræsi VGS=0V , ID=250uA 40 --- --- V
    RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=7A --- 8.5 11.5
    VGS=4,5V, ID=5A --- 11 14.5
    VGS(þ) Gate Threshold Voltage VGS=VDS , auðkenni =250uA 1.0 1.8 2.5 V
    IDSS Drain-Source lekastraumur VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 25
    IGSS Gate-Source Lekastraumur VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=15A --- 31 --- S
    Qg Heildarhleðsla (4,5V) VDS=20V, VGS=10V, ID=7A --- 20 30 nC
    Qgs Hleðsla fyrir hlið --- 3.9 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 3 ---
    Td(on) Töf á kveikju VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. --- 12.6 --- ns
    Tr Uppgangstími --- 10 ---
    Td(slökkt) Slökktingartími --- 23.6 ---
    Tf Hausttími --- 6 ---
    Ciss Inntaksrýmd VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 1125 --- pF
    Coss Úttaksrýmd --- 132 ---
    Crss Reverse Transfer Capacity --- 70 ---

    Athugið:
    1.Púlspróf: PW<= 300us vinnulota<= 2%.
    2.Garanteed by hönnun, ekki háð framleiðsluprófun.


  • Fyrri:
  • Næst:

  • Skrifaðu skilaboðin þín hér og sendu okkur