WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WSP4099 er öflugur skurður P-ch MOSFET með miklum frumuþéttleika.Það skilar framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu, sem gerir það hentugur fyrir flest samstillt buck breytir forrit.Það uppfyllir RoHS og GreenProduct staðla og hefur 100% EAS ábyrgð með fullri virkni áreiðanleika samþykki.
Eiginleikar
Háþróuð skurðartækni með háum frumuþéttleika, ofurlítil hleðsluhleðslu, framúrskarandi CdV/dt áhrif rotnun og 100% EAS ábyrgð eru allir eiginleikar grænna tækja okkar sem eru aðgengilegir.
Umsóknir
Hátíðnipunkt-of-load samstilltur spennubreytir fyrir MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, læknishjálp, bílahleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur , lítil heimilistæki og rafeindatæki.
samsvarandi efnisnúmer
Á FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar |
| VDS | Drain-Source Spenna | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1 | -4.5 | A |
| IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | -22 | A |
| EAS | Einpúls snjóflóðaorka 3 | 25 | mJ |
| IAS | Snjóflóðastraumur | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Heildaraflsdreifing 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | ℃ |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V , ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V , ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =-250uA | -1.5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Heildarhleðsla (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Hleðsla fyrir hlið | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 7 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 72 | --- |
