WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSP4099

BVDS:-40V

RDSON:30mΩ

auðkenni:-6,5A

Rás:Tvöföld P-rás

Pakki:SOP-8

Vara sumarleg:WSP4099 MOSFET hefur spennu upp á -40V, straum upp á -6,5A, viðnám 30mΩ, Dual P-Channel, og kemur í SOP-8 pakka.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, læknisfræði, sjálfvirk hleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur, lítil tæki, rafeindatækni.

Sendu fyrirspurn PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSP4099 er öflugur skurður P-ch MOSFET með miklum frumuþéttleika. Það skilar framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu, sem gerir það hentugur fyrir flest samstillt buck breytir forrit. Það uppfyllir RoHS og GreenProduct staðla og hefur 100% EAS ábyrgð með fullri virkni áreiðanleika samþykki.

Eiginleikar

Háþróuð skurðtækni með miklum frumuþéttleika, ofurlítil hleðsluhleðslu, framúrskarandi CdV/dt áhrif rotnun og 100% EAS ábyrgð eru allir eiginleikar grænna tækja okkar sem eru aðgengilegir.

Umsóknir

Hátíðnipunkt-of-load samstilltur spennubreytir fyrir MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, læknishjálp, bílahleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur , lítil heimilistæki og rafeindatæki.

samsvarandi efnisnúmer

Á FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	-40	V
VGS	Gate-Source Spenna	±20	V
ID@TC=25℃	Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	-22	A
EAS	Einpúls snjóflóðaorka3	25	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur	-10	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing4	2.0	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V , ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4,5V , ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2,0	-2.5	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Heildarhleðsla (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Hleðsla fyrir hlið		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	7	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	31	---
Tf	Hausttími		---	17	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	98	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	72	---