WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSP4099

BVDS:-40V

RDSON:30mΩ

auðkenni:-6,5A

Rás:Tvöföld P-rás

Pakki:SOP-8

Vara sumarleg:WSP4099 MOSFET hefur spennu upp á -40V, straum upp á -6,5A, viðnám 30mΩ, Dual P-Channel, og kemur í SOP-8 pakka.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, læknisfræði, sjálfvirk hleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur, lítil tæki, rafeindatækni fyrir neytendur.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSP4099 er öflugur skurður P-ch MOSFET með miklum frumuþéttleika. Það skilar framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu, sem gerir það hentugur fyrir flest samstillt buck converter forrit. Það uppfyllir RoHS og GreenProduct staðla og hefur 100% EAS ábyrgð með fullri virkni áreiðanleika samþykki.

Eiginleikar

Háþróuð skurðtækni með miklum frumuþéttleika, ofurlítil hleðsluhleðslu, framúrskarandi CdV/dt áhrif rotnun og 100% EAS ábyrgð eru allir eiginleikar grænna tækja okkar sem eru aðgengilegir.

Umsóknir

Hátíðnipunkt-of-load samstilltur spennubreytir fyrir MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, læknishjálp, bílahleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur , lítil heimilistæki og rafeindatæki.

samsvarandi efnisnúmer

Á FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	-40	V
VGS	Gate-Source Spenna	±20	V
ID@TC=25℃	Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Stöðugur afrennslisstraumur, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	-22	A
EAS	Einpúls snjóflóðaorka3	25	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur	-10	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing 4	2.0	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V , ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4,5V , ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2,0	-2.5	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Heildarhleðsla (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Hliðsuppspretta gjald		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	7	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	31	---
Tf	Hausttími		---	17	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	98	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	72	---