WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WSP4447 er afkastamikill MOSFET sem notar skurðartækni og hefur mikinn frumuþéttleika. Það býður upp á framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu, sem gerir það hentugt til notkunar í flestum samstilltum buck converter forritum. WSP4447 uppfyllir RoHS og Green Product staðla og kemur með 100% EAS ábyrgð fyrir fullan áreiðanleika.
Eiginleikar
Háþróuð trench tækni gerir ráð fyrir meiri frumuþéttleika, sem leiðir til græns tækis með Super Low Gate Charge og framúrskarandi CdV/dt áhrif hnignun.
Umsóknir
Hátíðnibreytir fyrir margs konar raftæki
Þessi breytir er hannaður til að knýja fjölbreytt úrval tækja á skilvirkan hátt, þar á meðal fartölvur, leikjatölvur, netbúnað, rafsígarettur, þráðlausa hleðslutæki, mótora, dróna, lækningatæki, bílahleðslutæki, stýringar, stafrænar vörur, lítil heimilistæki og neytendur. rafeindatækni.
samsvarandi efnisnúmer
AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar |
| VDS | Drain-Source Spenna | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -9,0 | A |
| IDM a | 300µs púlsaður afrennslisstraumur (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | Snjóflóðaorka, stakur púls (L=0,1mH) | 54 | mJ |
| IAS b | Snjóflóðastraumur, stakur púls (L=0,1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Heildaraflsdreifing 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | ℃ |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Heildarhleðsla (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Hliðsuppspretta gjald | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 8 | --- | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 12 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 235 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 180 | --- |
