WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WSP6067A MOSFET-tækin eru þau fullkomnustu fyrir skurð P-ch tækni, með mjög miklum þéttleika frumna. Þeir skila framúrskarandi afköstum hvað varðar bæði RDSON og hliðarhleðslu, hentugur fyrir flesta samstillta buck breytir. Þessir MOSFETs uppfylla RoHS og Green Product skilyrði, með 100% EAS sem tryggir fullan virkniáreiðanleika.
Eiginleikar
Háþróuð tækni gerir kleift að mynda frumuskurð með mikilli þéttleika, sem leiðir til ofurlítilrar hliðarhleðslu og yfirburðar CdV/dt áhrifa rotnun. Tækin okkar eru með 100% EAS ábyrgð og eru umhverfisvæn.
Umsóknir
Hátíðnipunktar-af-álags samstilltur spennubreytir, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, lækningatæki, bílahleðslutæki, stýringar, rafeindatæki, lítil heimilistæki og rafeindatæki .
samsvarandi efnisnúmer
AOS
Mikilvægar breytur
Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar | |
N-rás | P-rás | |||
VDS | Drain-Source Spenna | 60 | -60 | V |
VGS | Gate-Source Spenna | ±20 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1 | 7,0 | -5,0 | A |
ID@TC=100℃ | Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2.5 | A |
IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | 28 | -20 | A |
EAS | Einpúls snjóflóðaorka3 | 22 | 28 | mJ |
IAS | Snjóflóðastraumur | 21 | -24 | A |
PD@TC=25℃ | Heildaraflsdreifing4 | 2.0 | 2.0 | W |
TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | -55 til 150 | ℃ |
Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , auðkenni =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
△VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
Rg | Hlið viðnám | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
Qg | Heildarhleðsla (4,5V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
Qgs | Hleðsla fyrir hlið | --- | 2.6 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 4.1 | --- | ||
Td(on) | Töf á kveikju | VDD=30V , VGS=10V , RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
Tr | Uppgangstími | --- | 34 | --- | ||
Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 23 | --- | ||
Tf | Hausttími | --- | 6 | --- | ||
Ciss | Inntaksrýmd | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
Coss | Úttaksrýmd | --- | 65 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 45 | --- |