WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP6067A N&P-rás 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET Valmynd

Stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSP6067A

BVDS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

auðkenni:7A/-5A

Rás:N&P-rás

Pakki:SOP-8

Vara sumarleg:WSP6067A MOSFET hefur spennusviðið 60 volt jákvætt og neikvætt, straumsvið 7 ampera jákvætt og 5 ampera neikvætt, viðnámssvið 38 milliohm og 80 milliohm, N&P-rás, og er pakkað í SOP-8.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðslutæki, vélar, drónar, heilsugæsla, bílahleðslutæki, stýringar, stafræn tæki, lítil tæki og raftæki fyrir neytendur.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSP6067A MOSFET eru þau fullkomnustu fyrir skurð P-ch tækni, með mjög háan þéttleika frumna.Þeir skila framúrskarandi afköstum bæði hvað varðar RDSON og hliðarhleðslu, hentugur fyrir flesta samstillta buck breytir.Þessir MOSFETs uppfylla RoHS og Green Product skilyrði, með 100% EAS sem tryggir fullan virkniáreiðanleika.

Eiginleikar

Háþróuð tækni gerir kleift að mynda frumuskurð með mikilli þéttleika, sem leiðir til ofurlítilrar hliðarhleðslu og yfirburðar CdV/dt áhrifa rotnun.Tækin okkar eru með 100% EAS ábyrgð og eru umhverfisvæn.

Umsóknir

Hátíðnipunktur samstilltur spennubreytir, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, þráðlaus hleðsla, mótorar, drónar, lækningatæki, bílahleðslutæki, stýringar, rafeindatæki, lítil heimilistæki og rafeindatæki .

samsvarandi efnisnúmer

AOS

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn		Einingar
Tákn	Parameter	N-rás	P-rás	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	60	-60	V
VGS	Gate-Source Spenna	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	7,0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	28	-20	A
EAS	Einpúls snjóflóðaorka 3	22	28	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur	21	-24	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing 4	2.0	2.0	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	-55 til 150	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4,5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	1	2	3	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , auðkenni =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Heildarhleðsla (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Hleðsla fyrir hlið		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.1	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=30V , VGS=10V , RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	34	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	23	---
Tf	Hausttími		---	6	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	65	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	45	---