WSR200N08 N-rás 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WSR200N08

BVDS:80V

RDSON:2,9mΩ

auðkenni:200A

Rás:N-rás

Pakki:TO-220-3L

Vara sumarleg:WSR200N08 MOSFET þolir allt að 80 volt og 200 amper með viðnám upp á 2,9 milliohm.Það er N-rás tæki og kemur í TO-220-3L pakka.

Umsóknir:Rafsígarettur, þráðlaus hleðslutæki, mótorar, rafhlöðustjórnunarkerfi, varaaflgjafar, ómönnuð loftfarartæki, heilbrigðistæki, hleðslutæki fyrir rafbíla, stjórneiningar, þrívíddarprentunarvélar, rafeindatæki, lítil heimilistæki og rafeindatækni fyrir neytendur.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WSR200N08 er afkastamesti skurðurinn N-Ch MOSFET með mjög miklum frumuþéttleika, sem veitir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu fyrir flest samstillt buck converter forrit.WSR200N08 uppfyllir RoHS og græna vörukröfu, 100% EAS tryggt með fullri áreiðanleika samþykkt.

Eiginleikar

Háþróuð skurðartækni með háum frumuþéttleika, ofurlág hliðarhleðsla, frábær hnignun á CdV/dt áhrifum, 100% EAS tryggð, grænt tæki í boði.

Umsóknir

Skiptiforrit, aflstjórnun fyrir inverterkerfi, rafsígarettur, þráðlausa hleðslu, mótora, BMS, neyðaraflgjafa, dróna, læknisfræði, bílahleðslu, stýringar, þrívíddarprentara, stafrænar vörur, lítil heimilistæki, rafeindatækni o.fl.

samsvarandi efnisnúmer

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, osfrv.

Mikilvægar breytur

Rafmagnseinkenni (TJ=25℃, nema annað sé tekið fram)

Tákn	Parameter	Einkunn	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	80	V
VGS	Gate-Source Spenna	±25	V
ID@TC=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur2,TC=25°C	790	A
EAS	Snjóflóðaorka, stakur púls, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Snjóflóðastraumur, stakur púls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Heildaraflsdreifing 4	345	W
PD@TC=100℃	Heildaraflsdreifing 4	173	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 175	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	175	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , auðkenni =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Heildarhleðsla (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Hleðsla fyrir hlið		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	18	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	42	---
Tf	Hausttími		---	54	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	1029	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	650	---