WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WST2011 MOSFET eru fullkomnustu P-ch smári sem völ er á, með óviðjafnanlega frumuþéttleika.Þeir bjóða upp á óvenjulega afköst, með lágu RDSON og hliðarhleðslu, sem gerir þá tilvalin fyrir lítil aflrofa og hleðslurofa.Ennfremur uppfyllir WST2011 RoHS og Green Product staðla og státar af fullri virkni áreiðanleika samþykki.
Eiginleikar
Háþróuð Trench tækni gerir kleift að auka frumuþéttleika, sem leiðir til græns tækis með ofurlágri hliðarhleðslu og framúrskarandi CdV/dt áhrif hnignun.
Umsóknir
Hátíðni álagspunktur samstilltur lítill aflrofi er hentugur til notkunar í MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofa, rafsígarettur, stýringar, stafrænar vörur, lítil heimilistæki og rafeindatækni .
samsvarandi efnisnúmer
Á FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar | |
| 10s | Stöðugt ástand | |||
| VDS | Drain-Source Spenna | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ -4,5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ -4,5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Heildaraflsdreifing 3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Heildaraflsdreifing 3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | ℃ | |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | ℃ | |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V , ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,5 | -1,0 | -1.5 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Heildarhleðsla (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Hleðsla fyrir hlið | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 68 | --- |
Skrifaðu skilaboðin þín hér og sendu okkur
