WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

WST2078 N&P rás 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET Valin mynd

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WST2078

BVDS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

auðkenni:3,8A/-4,5A

Rás:N&P rás

Pakki:SOT-23-6L

Vara sumarleg:WST2078 MOSFET hefur spennustigið 20V og -20V. Það þolir strauma 3,8A og -4,5A og hefur viðnámsgildi 45mΩ og 65mΩ. MOSFET hefur bæði N&P Channel getu og kemur í SOT-23-6L pakka.

Umsóknir:Rafsígarettur, stýringar, stafrænar vörur, tæki og rafeindatækni.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WST2078 er besti MOSFET fyrir litla aflrofa og hleðsluforrit. Það hefur mikla frumuþéttleika sem veitir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu. Það uppfyllir RoHS og Green Product kröfur og hefur verið samþykkt fyrir fullan virkni áreiðanleika.

Eiginleikar

Háþróuð tækni með skurðum með háum frumuþéttleika, afar lágri hliðarhleðslu og framúrskarandi minnkun á Cdv/dt áhrifum. Þetta tæki er líka umhverfisvænt.

Umsóknir

Hátíðni álagspunktur samstilltur lítill aflrofi er fullkominn til notkunar í MB/NB/UMPC/VGA, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofa, rafsígarettur, stýringar, stafrænar vörur, lítil heimilistæki og neytendur rafeindatækni.

samsvarandi efnisnúmer

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn		Einingar
Tákn	Parameter	N-rás	P-rás	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	20	-20	V
VGS	Gate-Source Spenna	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Púlsaður afrennslisstraumur 2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Heildaraflsdreifing 3	1.4	1.4	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	-55 til 150	℃

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4,5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V , ID=1A	---	85	120
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(þ)	VGS(þ) Hitastuðull	VGS=VDS , auðkenni =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Hlið viðnám	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Heildarhleðsla (4,5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Hliðsuppspretta gjald		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Uppgangstími		---	13	23
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	15	28
Tf	Hausttími		---	3	5.5
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	51	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	52	---