WST2088 N-rás 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

stutt lýsing:

Gerðarnúmer:WST2088

BVDS:20V

RDSON:8mΩ

auðkenni:8.8A

Rás:N-rás

Pakki:SOT-23-3L

Vara sumarleg:Spenna WST2088 MOSFET er 20V, straumurinn er 8,8A, viðnámið er 8mΩ, rásin er N-rás og pakkinn er SOT-23-3L.

Umsóknir:Rafsígarettur, stýringar, stafræn tæki, lítil heimilistæki og rafeindatækni.

Sendu tölvupóst til okkar PDF

Upplýsingar um vöru

Umsókn

Vörumerki

Almenn lýsing

WST2088 MOSFET eru fullkomnustu N-rás smára á markaðnum. Þeir hafa ótrúlega mikinn frumuþéttleika, sem leiðir til framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu. Þessir MOSFET-tæki eru fullkomin fyrir lítil aflrofa og hleðslurofa. Þau uppfylla RoHS og Green Product kröfur og hafa verið fullprófuð með tilliti til áreiðanleika.

Eiginleikar

Háþróuð trench tækni með háum frumuþéttleika, ofurlágri hliðarhleðslu og frábærum Cdv/dt áhrifum, sem gerir það að grænu tæki.

Umsóknir

Rafmagnsforrit, rafrásir með harðri rofi og hátíðni, truflunar aflgjafa, rafsígarettur, stýringar, rafeindatæki, lítil heimilistæki og rafeindatækni fyrir neytendur.

samsvarandi efnisnúmer

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214 osfrv.

Mikilvægar breytur

Tákn	Parameter	Einkunn	Einingar
VDS	Drain-Source Spenna	20	V
VGS	Gate-Source Spenna	±12	V
ID@Tc=25℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 4,5V	8.8	A
ID@Tc=70℃	Stöðugur frárennslisstraumur, VGS @ 4,5V	6.2	A
IDP	Púlsaður afrennslisstraumur	40	A
PD@TA=25℃	Heildaraflsdreifing	1.5	W
TSTG	Geymsluhitasvið	-55 til 150	℃
TJ	Hitasvið rekstrarmóts	-55 til 150	℃

Rafmagnseinkenni (TJ=25 ℃, nema annað sé tekið fram)

Tákn	Parameter	Skilyrði	Min.	Týp.	Hámark	Eining
BVDS	Niðurbrotsspenna frá holræsi	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS hitastuðull	Tilvísun í 25 ℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4,5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=2,5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
VGS(þ)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS , auðkenni =250uA	0,5	---	1.3	V
IDSS	Drain-Source lekastraumur	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Lekastraumur	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Heildarhliðargjald	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Hliðsuppspretta gjald		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.5	---
Td(on)	Töf á kveikju	VDS=10V, VGS=4,5V,RG=3,3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	Uppgangstími		---	13	---
Td(slökkt)	Slökktingartími		---	28	---
Tf	Hausttími		---	7	---
Ciss	Inntaksrýmd	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1400	---	pF
Coss	Úttaksrýmd		---	170	---
Crss	Reverse Transfer Capacity		---	135	---