WST4041 P-rás -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Almenn lýsing
WST4041 er öflugur P-rás MOSFET hannaður til notkunar í samstilltum buck breytum.Það hefur mikla frumuþéttleika sem gerir ráð fyrir framúrskarandi RDSON og hliðarhleðslu.WST4041 uppfyllir kröfur um RoHS og Green Product staðla, og það kemur með 100% EAS ábyrgð fyrir áreiðanlega frammistöðu.
Eiginleikar
Háþróuð trench tækni býður upp á háan frumuþéttleika og ofurlága hliðarhleðslu, sem dregur verulega úr CdV/dt áhrifum.Tækin okkar eru með 100% EAS ábyrgð og umhverfisvæna valkosti.
Umsóknir
Hátíðni álagspunktur samstilltur spennubreytir, netkerfi DC-DC raforkukerfi, hleðslurofi, rafsígarettur, stýringar, stafræn tæki, lítil heimilistæki og rafeindatækni fyrir neytendur.
samsvarandi efnisnúmer
AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A, dintek DTS4501, cepower NCE40P05Y,
Mikilvægar breytur
| Tákn | Parameter | Einkunn | Einingar |
| VDS | Drain-Source Spenna | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spenna | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -6,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Stöðugur afrennslisstraumur, VGS @ -10V1 | -4.5 | A |
| IDM | Púlsaður afrennslisstraumur 2 | -24 | A |
| EAS | Einpúls snjóflóðaorka 3 | 12 | mJ |
| IAS | Snjóflóðastraumur | -7 | A |
| PD@TC=25℃ | Heildaraflsdreifing 4 | 1.4 | W |
| TSTG | Geymsluhitasvið | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Hitasvið rekstrarmóts | -55 til 150 | ℃ |
| Tákn | Parameter | Skilyrði | Min. | Týp. | Hámark | Eining |
| BVDS | Niðurbrotsspenna frá holræsi | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS hitastuðull | Tilvísun í 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,03 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-10V , ID=-3A | --- | 30 | 40 | mΩ |
| VGS=-4,5V , ID=-1A | --- | 40 | 58 | |||
| VGS(þ) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,8 | -1.2 | -2.2 | V |
| △VGS(þ) | VGS(þ) Hitastuðull | --- | 4,56 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source lekastraumur | VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Lekastraumur | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=-5V, ID=-3A | --- | 15 | --- | S |
| Rg | Hlið viðnám | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | --- | Ω |
| Qg | Heildarhleðsla (-4,5V) | VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Hleðsla fyrir hlið | --- | 1.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.0 | --- | ||
| Td(on) | Töf á kveikju | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Uppgangstími | --- | 10 | --- | ||
| Td(slökkt) | Slökktingartími | --- | 18 | --- | ||
| Tf | Hausttími | --- | 8 | --- | ||
| Ciss | Inntaksrýmd | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 420 | --- | pF |
| Coss | Úttaksrýmd | --- | 77 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacity | --- | 55 | --- |
