Hlið rýmd, á-viðnám og aðrar breytur MOSFETs

I. Hlið rýmd

Hliðarrýmd felur aðallega í sér inntaksrýmd (Ciss), úttaksrýmd (Coss) og öfug flutningsrýmd (Crss, einnig þekkt sem Miller rýmd).

Inntaksrýmd (Ciss):

SKILGREINING: Inntaksrýmd er heildarrýmd milli hliðsins og uppsprettu og holræsisins, og samanstendur af hliðargetu (Cgs) og hliðtæmdarrýmd (Cgd) sem eru tengd samhliða, þ.e. Ciss = Cgs + Cgd.

Virka: Inntaksrýmd hefur áhrif á skiptihraða MOSFET. Þegar inntaksrýmd er hlaðin að viðmiðunarspennu er hægt að kveikja á tækinu; tæmd að ákveðnu gildi er hægt að slökkva á tækinu. Þess vegna hefur akstursrásin og Ciss bein áhrif á kveikju- og slökkviseinkun tækisins.

Úttaksrýmd (Coss):

Skilgreining: Úttaksrýmd er heildarrýmd milli frárennslis og uppsprettu, og samanstendur af holræsi-uppsprettu rýmdinni (Cds) og gate-drain rýmdinni (Cgd) samhliða, þ.e. Coss = Cds + Cgd.

Hlutverk: Í soft-switch forritum er Coss mjög mikilvægt vegna þess að það getur valdið ómun í hringrásinni.

Afturflutningsrýmd (Crss):

Skilgreining: Andstæða flutningsrýmd jafngildir gate-drain rýmd (Cgd) og er oft nefnd Miller rýmd.

Hlutverk: Andstæða flutningsrýmd er mikilvæg breytu fyrir hækkun og falltíma rofans og hefur einnig áhrif á slökkvitímann. Rafmagnsgildið minnkar þegar frárennslisspennan eykst.

II. Viðnám (Rds(on))

Skilgreining: On-resistance er viðnám milli uppsprettu og frárennslis MOSFET í á-ástandi við sérstakar aðstæður (td sérstakur lekastraumur, hliðarspenna og hitastig).

Áhrifaþættir: On-resistance er ekki fast gildi, það hefur áhrif á hitastig, því hærra sem hitastigið er, því meiri Rds(on). Að auki, því hærri sem þolspennan er, því þykkari innri uppbygging MOSFET, því hærra samsvarandi á-viðnám.

Mikilvægi: Þegar skipt er um aflgjafa eða rekilrás er nauðsynlegt að hafa í huga á-viðnám MOSFET, vegna þess að straumurinn sem flæðir í gegnum MOSFET mun eyða orku á þessari viðnám, og þessi hluti af neyslu orku er kallaður á- tap viðnáms. Ef þú velur MOSFET með lágt á-viðnám getur dregið úr á-viðnám tap.

Í þriðja lagi, aðrar mikilvægar breytur

Til viðbótar við hliðarrýmd og viðnám, hefur MOSFET nokkrar aðrar mikilvægar breytur eins og:

V(BR)DSS (niðurbrotsspenna frárennslisgjafa):Afrennslisspennan þar sem straumurinn sem flæðir í gegnum niðurfallið nær tilteknu gildi við ákveðið hitastig og með stuttum hliðargjafa. Yfir þessu gildi getur rörið verið skemmt.

VGS(th) (Þröskuldsspenna):Hliðspennan sem þarf til að leiðandi rás byrjar að myndast á milli uppsprettu og niðurfalls. Fyrir staðlaða N-rása MOSFET er VT um 3 til 6V.

Auðkenni (hámarks samfelldur afrennslisstraumur):Hámarks samfelldur DC straumur sem flísinn getur leyft við hámarkshitastig móts.

IDM (hámarks pulsed drain Current):Endurspeglar magn púlsstraums sem tækið ræður við, þar sem púlsstraumur er mun hærri en samfelldur jafnstraumur.

PD (hámarksaflsdreifing):tækið getur eytt hámarks orkunotkun.

Í stuttu máli eru hliðarrýmd, áviðnám og aðrar breytur MOSFET mikilvægar fyrir frammistöðu þess og notkun og þarf að velja og hanna í samræmi við sérstakar notkunaraðstæður og kröfur.