MOSFET andstæðingur-bakrás

Í fyrsta lagi grundvallarreglan um MOSFET andstæðingur-bakrás hringrás

MOSFET andstæðingur-bakrás hringrás með því að nota rofa eiginleika MOSFET, með því að stjórna hlið (G) spennu til að átta sig á hringrásinni á og slökkva. Þegar pólun aflgjafa er rétt, gerir hliðarspennan MOSFET í leiðnistöðu, straumurinn getur flætt venjulega; þegar pólun aflgjafa er snúið við, getur hliðarspennan ekki framkvæmt MOSFET leiðsluna og þannig slokknar á hringrásinni.

Í öðru lagi, sérstakur framkvæmd MOSFET andstæðingur-andstæða hringrás

1. N-rás MOSFET andstæðingur-bakrás

N-rásar MOSFET eru venjulega notaðir til að átta sig á andstæðingur-bakrásir. Í hringrásinni er uppspretta (S) N-rásar MOSFET tengdur við neikvæða skaut hleðslunnar, frárennsli (D) er tengdur við jákvæða tengi aflgjafa og hliðið (G) er tengt við neikvæða tengi aflgjafa í gegnum viðnám eða stjórnað af stjórnrás.

Áfram tenging: jákvæð tengi aflgjafa er tengd við D og neikvæða tengi er tengd við S. Á þessum tíma veitir viðnám hliðarspennu (VGS) fyrir MOSFET, og þegar VGS er hærri en þröskuldurinn spennu (Vth) á MOSFET, MOSFET leiðir, og straumurinn rennur frá jákvæðu klemmu aflgjafa til álagsins í gegnum MOSFET.

Þegar snúið er við: jákvæða klemmurinn á aflgjafanum er tengdur við S og neikvæða klemman er tengdur við D. Á þessum tíma er MOSFET í stöðvunarástandi og hringrásin er aftengd til að vernda álagið gegn skemmdum vegna hliðarspennunnar er ekki fær um að mynda nægilegt VGS til að gera MOSFET hegðun (VGS getur verið minna en 0 eða miklu minna en Vth).

2. Hlutverk aukahluta

Viðnám: Notað til að veita hliðarspennu fyrir MOSFET og takmarka hliðarstraum til að koma í veg fyrir skemmdir á ofstraumi hliðs.

Spennustillir: valfrjáls íhlutur sem notaður er til að koma í veg fyrir að hliðarspennan sé of há og brjóti niður MOSFET.

Sníkjudíóða: Sníkjudíóða (líkamsdíóða) er til inni í MOSFET, en áhrif hennar eru venjulega hunsuð eða forðast með hringrásarhönnun til að forðast skaðleg áhrif hennar í and-bakrásum.

Í þriðja lagi, kostir MOSFET andstæðingur-andstæða hringrás

Lítið tap: MOSFET á-viðnám er lítið, á-viðnám spenna er minnkað, þannig að hringrás tap er lítið.

Mikill áreiðanleiki: hægt er að framkvæma andstæðingur-bakvirkni með einfaldri hringrásarhönnun og MOSFET sjálft hefur mikla áreiðanleika.

Sveigjanleiki: Hægt er að velja mismunandi MOSFET gerðir og hringrásarhönnun til að uppfylla mismunandi umsóknarkröfur.

Varúðarráðstafanir

Við hönnun á MOSFET andstæðingur-bakrás hringrás, þú þarft að tryggja að val á MOSFETs til að uppfylla umsókn kröfur, þar á meðal spennu, straumur, rofi hraði og aðrar breytur.

Nauðsynlegt er að huga að áhrifum annarra íhluta í hringrásinni, svo sem rafrýmd sníkjudýra, inductance sníkjudýra osfrv., Til að forðast skaðleg áhrif á frammistöðu hringrásarinnar.

Í hagnýtri notkun er einnig krafist fullnægjandi prófana og sannprófunar til að tryggja stöðugleika og áreiðanleika hringrásarinnar.

Í stuttu máli, MOSFET andstæðingur-bakrás hringrás er einfalt, áreiðanlegt og lítið tap aflgjafa verndarkerfi sem er mikið notað í ýmsum forritum sem krefjast þess að koma í veg fyrir öfuga aflskaut.