IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) og MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) eru tvö algeng afl hálfleiðara tæki sem eru mikið notuð í rafeindatækni. Þó að báðir séu nauðsynlegir þættir í ýmsum forritum, þá eru þeir verulega frábrugðnir í nokkrum þáttum. Hér að neðan eru aðalmunirnir á IGBT og MOSFET:
1. Vinnureglur
- IGBT: IGBT sameinar eiginleika bæði BJT (Bipolar Junction Transistor) og MOSFET, sem gerir það að blendingstæki. Það stjórnar grunni BJT í gegnum hliðarspennu MOSFET, sem aftur stjórnar leiðni og stöðvun BJT. Þó að leiðni og stöðvunarferli IGBT séu tiltölulega flókin, þá er það með lágt leiðnispennutap og mikið spennuþol.
- MOSFET: MOSFET er sviðsáhrif smári sem stjórnar straumi í hálfleiðara í gegnum hliðarspennu. Þegar hliðarspennan fer yfir upprunaspennuna myndast leiðandi lag sem gerir straumi kleift að flæða. Aftur á móti, þegar hliðarspennan er undir viðmiðunarmörkum, hverfur leiðandi lagið og straumur getur ekki flætt. Rekstur MOSFET er tiltölulega einföld, með hröðum skiptihraða.
2. Umsóknarsvæði
- IGBT: Vegna mikils spennuþols, lágs leiðnispennutaps og hraðvirkrar rofagetu, er IGBT sérstaklega hentugur fyrir aflmikil notkun með litlum tapi eins og invertara, mótordrifum, suðuvélum og órofa aflgjafa (UPS) . Í þessum forritum stjórnar IGBT á skilvirkan hátt háspennu- og hástraumsskiptaaðgerðum.
- MOSFET: MOSFET, með hröðum viðbrögðum, mikilli inntaksviðnám, stöðugum rofaafköstum og litlum tilkostnaði, er mikið notaður í litlum, hraðskiptum forritum eins og aflgjafa fyrir rofa, lýsingu, hljóðmagnara og rökrásir. . MOSFET stendur sig einstaklega vel í lágspennu- og lágspennunotkun.
3. Frammistöðueiginleikar
- IGBT: IGBT skarar fram úr í háspennu, hástraumsforritum vegna hæfni sinnar til að takast á við umtalsvert afl með lægra leiðnartapi, en það hefur hægari skiptihraða samanborið við MOSFET.
- MOSFET: MOSFET einkennist af hraðari skiptihraða, meiri skilvirkni í lágspennuforritum og minni aflstapi við hærri skiptitíðni.
4. Skiptanleiki
IGBT og MOSFET eru hönnuð og notuð í mismunandi tilgangi og er venjulega ekki hægt að skipta þeim. Val á hvaða tæki á að nota fer eftir tilteknu forriti, frammistöðukröfum og kostnaðarsjónarmiðum.
Niðurstaða
IGBT og MOSFET eru verulega ólíkir hvað varðar vinnureglur, notkunarsvið og frammistöðueiginleika. Skilningur á þessum mun hjálpar til við að velja viðeigandi tæki fyrir rafeindahönnun, sem tryggir hámarksafköst og kostnaðarhagkvæmni.
Birtingartími: 21. september 2024
