MOSFET invertersins starfar í rofi og straumurinn sem flæðir í gegnum MOSFET er mjög hár. Ef MOSFET er ekki rétt valið, amplitude akstursspennu er ekki nógu stór eða hitaleiðni hringrásarinnar er ekki góð, getur það valdið því að MOSFET hitnar.
1, inverter MOSFET upphitun er alvarlegt, ætti að borga eftirtekt tilMOSFETúrval
MOSFET í inverterinu í rofaástandi, krefst almennt frárennslisstraums eins stórs og mögulegt er, viðnáms eins lítið og mögulegt er, svo að þú getir dregið úr mettunarspennufalli MOSFET og þar með dregið úr MOSFET frá neyslu, dregið úr hita.
Athugaðu MOSFET handbókina, við munum komast að því að því hærra sem þolspennugildi MOSFET er, því meiri viðnám hans, og þeir sem eru með mikinn frárennslisstraum, lágt þolspennugildi MOSFET, er viðnám hans almennt undir tugum milliohm.
Miðað við að hleðslustraumur 5A, við veljum inverter sem almennt er notaður MOSFETRU75N08R og þolir spennugildi 500V 840 getur verið, afrennslisstraumur þeirra er í 5A eða meira, en á-viðnám tveggja MOSFETs eru mismunandi, keyra sama straum , hitamunur þeirra er mjög mikill. 75N08R á-viðnám er aðeins 0,008Ω, en á-viðnám 840. On-viðnám 75N08R er aðeins 0,008Ω, en á-viðnám 840 er 0,85Ω. Þegar álagsstraumurinn sem flæðir í gegnum MOSFET er 5A er spennufall MOSFET 75N08R aðeins 0,04V og MOSFET neysla MOSFET er aðeins 0,2W, en spennufall MOSFET 840 getur verið allt að 4,25W og eyðsla. af MOSFET er allt að 21,25W. Af þessu má sjá að viðnám MOSFET er frábrugðið viðnám 75N08R og hitamyndun þeirra er mjög ólík. Því minni sem á-viðnám MOSFET er, því betra, á-viðnám MOSFET, MOSFET rör undir mikilli straumnotkun er nokkuð stór.
2, akstursrás amplitude akstursspennu er ekki nógu stór
MOSFET er spennustýringartæki, ef þú vilt draga úr MOSFET slöngunotkun, draga úr hita, ætti MOSFET hlið drifspennu að vera nógu stór, keyra púlsbrún í bratt, getur dregið úrMOSFETspennufall slöngunnar, minnkaðu MOSFET slöngunotkun.
3, MOSFET hitaleiðni er ekki góð orsök
Inverter MOSFET upphitun er alvarleg. Þar sem neysla inverter MOSFET slöngunnar er mikil, krefst verksins almennt nógu stórt ytra svæði á hitavaskinum og ytri hitavaskurinn og MOSFET sjálft á milli hitavasksins ættu að vera í nánu sambandi (almennt þarf að vera húðuð með hitaleiðandi kísillfeiti), ef ytri hitavaskurinn er minni, eða með MOSFET sjálfur er hann ekki nógu nálægt snertingu hitavasksins, getur það leitt til MOSFET hitunar.
Inverter MOSFET upphitun alvarleg það eru fjórar ástæður fyrir samantektinni.
MOSFET lítilsháttar hitun er eðlilegt fyrirbæri, en hitunin er alvarleg og jafnvel leiða til þess að MOSFET brennist, það eru eftirfarandi fjórar ástæður:
1, vandamálið við hönnun hringrásar
Láttu MOSFET vinna í línulegu rekstrarástandi, frekar en í rofarásarástandi. Það er líka ein af orsökum MOSFET hitunar. Ef N-MOS er að skipta um þarf G-stigs spennan að vera nokkrum V hærri en aflgjafinn til að vera alveg á, en P-MOS er hið gagnstæða. Ekki alveg opið og spennufallið er of mikið sem veldur orkunotkun, jafngildi DC viðnám er stærra, spennufallið eykst, svo U * I eykst líka, tapið þýðir hita. Þetta er mest forðast villan í hönnun hringrásarinnar.
2, of há tíðni
Aðalástæðan er sú að stundum er of mikil leit að hljóðstyrk, sem leiðir til aukinnar tíðni,MOSFETtap á stóru, þannig að hitinn er líka aukinn.
3, ekki nóg hitauppstreymi hönnun
Ef straumurinn er of hár, þarf nafnstraumgildi MOSFET venjulega góða hitaleiðni til að ná. Þannig að auðkennið er minna en hámarksstraumurinn, það gæti líka hitnað illa, þarf nóg af aukahitavaski.
4, MOSFET val er rangt
Rangt mat á krafti, innri viðnám MOSFET er ekki tekið til fulls, sem leiðir til aukinnar rofaviðnáms.
Birtingartími: 19. apríl 2024
