Aflgjafarrásir, eða aflgjafarásir á sviði knúnings, óhjákvæmilega notaMOSFET, sem eru af mörgum gerðum og hafa margar aðgerðir. Til að skipta um aflgjafa eða knúningsforrit er eðlilegt að nota skiptivirkni þess.
Óháð N-gerð eða P-gerðMOSFET, meginreglan er í meginatriðum sú sama, MOSFET er bætt við hlið tengienda straumsins til að stjórna úttakshlið frárennslisstraumsins, MOSFET er spennustýrt tæki sem byggir á straumnum sem bætt er við hliðið á meðhöndlun á eiginleikum tækisins, er ekki viðkvæmt fyrir því að skipta eins og smári vegna grunnstraums af völdum jákvæðra hleðslugeymsluáhrifa, og því ætti MOSFET skiptahraði að vera hraðari en smári í skiptiforritinu. Skiptihraðinn ætti að vera hraðari en þríeykið.
MOSFETsmástraumshitun veldur
1, hringrásarreglan um vandamálið er að láta MOSFET vinna í línulegu ástandi, frekar en í skiptingaraðstæðum. Þetta er líka orsök MOSFET hita. Ef N-MOS rofi, G-stigi rekstrarspenna en rofi aflgjafa nokkur V, til þess að vera alveg á og slökkt, P-MOS er á hinn veginn. Ekki alveg á og tapið er of mikið sem leiðir til dreifingar á úttaksafli, jafngildi DC-einkennandi viðnáms er stærra, tapið er stækkað, þannig að U * I er einnig stækkað, eyðing táknar hita. Þetta er líka mest forðast ranga hönnunaráætlunarstýringarrás.
2, tíðnin er of há, aðallega stundum of mikil leit að fullkomnu rúmmáli, sem leiðir til tíðniaukningar, MOSFET á stækkun neyslunnar, þannig að hitinn jókst einnig.
3, gerði ekki nóg hita útilokun hönnun program, núverandi er of hár, MOSFET umburðarlyndi núverandi gildi, almennt verður að viðhalda góðum hita útilokun er hægt að gera. Þess vegna er ID lægra en hærri straumurinn, það er líka líklegt til að hitna alvarlegri, verður að vera nóg til að aðstoða hitavaskinn.
4, MOSFET líkan val er ekki rétt, framleiðsla máttur er ekki rétt, MOSFET viðnám er ekki tekið með í reikninginn, sem leiðir til stækkunar á rofi einkennandi viðnám.
MOSFET lítill núverandi upphitun er alvarlegri hvernig á að leysa?
1.Fáðu MOSFET hitaútilokunarhönnunaráætlunina, aðstoðaðu ákveðinn fjölda hitakölkna.
2.Límdu hitaútilokunarlímið.
Birtingartími: 11. júlí 2024
