Hver eru fjögur svæði MOSFET?

Fjögur svæði í N-rás aukahlut MOSFET

(1) Breytilegt viðnám svæði (einnig kallað ómettað svæði)

Ucs" Ucs (th) (kveikjuspenna), uDs" UGs-Ucs (th), er svæðið vinstra megin við forspennu línuna á myndinni þar sem kveikt er á rásinni. Gildi UDs er lítið á þessu svæði og rásarviðnám er í grundvallaratriðum aðeins stjórnað af UGs. Þegar uGs er öruggt, ip og uDs í línulegu sambandi, er svæðið áætlað sem mengi beinna lína. Á þessum tíma, sviði áhrif rör D, S milli jafngildi spennu UGS

Stjórnað af spennu UGS breytilegu viðnámi.

(2) stöðugt straumsvæði (einnig þekkt sem mettunarsvæði, mögnunarsvæði, virkt svæði)

Ucs ≥ Ucs (h) og Ubs ≥ UcsUssth), fyrir mynd hægra megin á pre-pinch off track, en ekki enn sundurliðað á svæðinu, á svæðinu, þegar uGs verða að vera, ib nánast ekki breytast með UDs, er stöðugur núverandi einkenni. i er aðeins stjórnað af UGs, þá er MOSFETD, S jafngildir spennu uGs stjórn á straumgjafa. MOSFET er notað í mögnunarrásum, almennt á vinnu MOSFET D, S jafngildir spennu uGs stýristraumgjafa. MOSFET notað í mögnunarrásum, virkar almennt á svæðinu, svo einnig þekkt sem mögnunarsvæðið.

(3) Afskurðarsvæði (einnig kallað afskurðarsvæði)

Clip-off svæði (einnig þekkt sem cut-off area) til að mæta ucs "Ues (th) fyrir myndina nálægt lárétta ás svæðisins, rásin er öll klemmd af, þekkt sem full clip off, io = 0 , rörið virkar ekki.

(4) staðsetning niðurbrotssvæðis

Sundurliðunarsvæðið er staðsett á svæðinu hægra megin á myndinni. Með vaxandi UDs verður PN-mótin fyrir of mikilli öfugspennu og bilun, ip eykst verulega. Slönguna ætti að stjórna þannig að forðast að starfa á niðurbrotssvæðinu. Hægt er að leiða flutningseinkennisferilinn af einkennisferil framleiðslunnar. Á aðferð notuð sem línurit til að finna. Til dæmis, á mynd 3 (a) fyrir Ubs = 6V lóðrétta línu, skurðpunktur hennar við hina ýmsu ferla sem samsvara i, Us gildunum í ib- Uss hnitunum sem eru tengd við ferilinn, það er að fá flutningseinkennisferilinn.

Færibreytur afMOSFET

Það eru margar færibreytur MOSFET, þar á meðal DC breytur, AC breytur og takmörk færibreytur, en aðeins þarf að huga að eftirfarandi aðal breytum í almennri notkun: mettaður frárennslisstraumur IDSS klípa spenna Upp, (rör af tengigerð og eyðing -gerð einangruð hliðarrör, eða kveikjuspenna UT (styrkt einangruð hliðarrör), transleiðni gm, sundurliðunarspenna lekagjafa BUDS, hámarksdreifð afl PDSM og hámarks frárennslisstraums IDSM .

(1) Mettaður frárennslisstraumur

Mettaður frárennslisstraumurinn IDSS er frárennslisstraumurinn í einangruðu hliði MOSFET með mótum eða eyðingargerð þegar hliðarspennan UGS = 0.

(2) Clip-off spenna

Klípspennan UP er hliðarspennan í MOSFET af einangruðum hliðum af mótum eða eyðslugerð sem bara sleppir á milli frárennslis og uppsprettu. Eins og sýnt er í 4-25 fyrir N-rásarrörið UGS er auðkennisferill, hægt að skilja til að sjá mikilvægi IDSS og UP

MOSFET fjögur svæði

(3) Kveikjuspenna

Kveikjuspennan UT er hliðarspennan í styrktu einangruðu hliði MOSFET sem gerir millirennslisgjafann bara leiðandi.

(4) Umleiðni

Umleiðni gm er stjórnunargeta hliðarspennu UGS á afrennslisstraums auðkenni, þ.e. hlutfall breytinga á affallsstraumauðkenni og breytingu á hliðaruppsprettu UGS. 9m er mikilvæg færibreyta sem vegur mögnunargetuMOSFET.

(5) Niðurbrotsspenna frárennslisgjafa

Niðurbrotsspenna frárennslisgjafa BUDS vísar til hliðaruppsprettu spennu UGS viss, MOSFET eðlileg notkun getur samþykkt hámarks afrennslisuppsprettuspennu. Þetta er takmörkunarfæribreyta, bætt við MOSFET rekstrarspennuna verður að vera minni en BUDS.

(6) Hámarksaflsútbreiðsla

Hámarksaflsútbreiðsla PDSM er einnig takmörkunarbreyta, vísar tilMOSFETafköst versna ekki þegar hámarks leyfilegt aflnotkun lekagjafa. Þegar MOSFET er notað ætti hagnýt orkunotkun að vera minni en PDSM og skilja eftir ákveðna framlegð.

(7) Hámarksrennslisstraumur

Hámarkslekastraumur IDSM er önnur takmörkunarbreyta, vísar til eðlilegrar notkunar MOSFET, lekauppspretta hámarksstraums sem leyfilegt er að fara í gegnum rekstrarstraum MOSFET ætti ekki að fara yfir IDSM.

MOSFET rekstrarregla

Starfsreglan MOSFET (N-rásaraukning MOSFET) er að nota VGS til að stjórna magni "framleiðandi hleðslu", til að breyta ástandi leiðandi rásarinnar sem myndast af þessum "framleiðandi hleðslu", og síðan til að ná tilganginum að stjórna frárennslisstraumnum. Tilgangurinn er að stjórna frárennslisstraumnum. Við framleiðslu á rörum, í gegnum ferlið við að búa til mikinn fjölda jákvæðra jóna í einangrunarlaginu, þannig að í hinni hlið tengisins er hægt að framkalla fleiri neikvæðar hleðslur, þessar neikvæðu hleðslur geta verið framkallaðar.

Þegar hliðarspennan breytist, breytist magn hleðslunnar sem framkallað er í rásinni einnig, breidd leiðandi rásarinnar breytist einnig og þannig breytist afrennslisstraumurinn með hliðarspennunni.

MOSFET hlutverk

I. MOSFET er hægt að nota við mögnun. Vegna mikillar inntaksviðnáms MOSFET magnarans getur tengiþéttinn verið minni afkastagetu, án þess að nota rafgreiningarþétta.

Í öðru lagi er há inntaksviðnám MOSFET mjög hentugur fyrir viðnám viðnám. Almennt notað í fjölþrepa inntaksstig magnara fyrir viðnám viðnám.

MOSFET er hægt að nota sem breytilegan viðnám.

Í fjórða lagi er auðvelt að nota MOSFET sem stöðugan straumgjafa.

Í fimmta lagi er hægt að nota MOSFET sem rafrænan rofa.